国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“静电释放防护结构及其制造方法”的专利,公开号CN121620217A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明提供一种静电释放防护结构及其制造方法。该结构包括衬底、设置在衬底上的埋氧层、设置在埋氧层上的有源区以及横跨有源区的栅极结构。在有源区内设置有至少一个浅层隔离区,该浅层隔离区沿栅极结构的宽度方向延伸,将有源区在宽度方向上分隔为至少两个子有源区。本发明的制造方法通过在标准器件隔离区形成后,利用有源区上的介质层为掩模,对硅层进行浅层刻蚀并在槽内形成隔离介质。本发明通过在器件内部引入浅层隔离区,有效调整了ESD电流的分布路径,使电流在泄放时更均匀地分配到各个子有源区,避免了电流集中和局部过热,显著改善了器件的电流均匀性,从而在不显著增加工艺复杂度的前提下,提升了FDSOI器件的静电防护能力和可靠性。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次,专利信息2765条,此外企业还拥有行政许可397个。
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来源:市场资讯